壓力傳感器有很多參數(shù)指標，其中有一項是過載保護，過載就是負荷過大，超過了設(shè)備本身的額定負載，產(chǎn)生的現(xiàn)象是電流過大，用電設(shè)備發(fā)熱，線路長期過載會降低線路絕緣水平，甚至燒毀設(shè)備或線路；過載保護就是即使負荷超過了額定負載也不會出現(xiàn)燒壞線路的情況，但是也有一個度，一般是150%的范圍內(nèi)，而且不能持續(xù)過載工作�！　�

　　壓力傳感器有很多形式，每種結(jié)構(gòu)形式的過載保護設(shè)計方法也是各不相同的，眾多方法都有各自的優(yōu)點和缺點，采用MEMS技術(shù)的小量程、高靈敏壓力傳感器通常有平膜、島膜、梁膜等結(jié)構(gòu)，在設(shè)計過載保護時，一般采用凸臺等方法實現(xiàn)，形成方法有背部刻蝕技術(shù)、硅直接鍵合技術(shù)、玻璃刻蝕技術(shù)等。然而這些結(jié)構(gòu)一般都有一個很大的局限性就是腔體尺寸較大，進一步提高靈敏度受到限制，而且降低了硅片利用率，增加了制造工藝的復(fù)雜度，提高了生產(chǎn)成本。

　　目前小量程、高靈敏壓力傳感器的研究熱點集中在犧牲層結(jié)構(gòu)壓力傳感器，這主要是因為犧牲層結(jié)構(gòu)壓力傳感器彈性膜片很薄，厚度可做到2μm，甚至更薄。在這樣薄的結(jié)構(gòu)上，如果采用擴散硅或多晶硅薄膜作為犧牲層結(jié)構(gòu)壓力傳感器的應(yīng)變電阻，其厚度相對較大，對彈性膜片應(yīng)力分布影響很大，不利于犧牲層結(jié)構(gòu)壓力傳感器的性能優(yōu)化，因此采用多晶硅納米薄膜制作應(yīng)變電阻更能發(fā)揮犧牲層技術(shù)的優(yōu)點。

　　過載保護是每種傳感器都要考慮的，因為在使用過程中可能會出現(xiàn)測量值大于量程的情況，只有設(shè)計了過載保護的傳感器才能更好的使用，也才能使用得更久。具體每種傳感器的過載保護是如何設(shè)計的，過載范圍是多少都是不同的，所以不管是買哪種傳感器一定要了解它的過載保護是多少，這樣才能更好的方便使用，在未來使用過程中也不會出現(xiàn)由于過載燒壞電路的情況。

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